В рамках курса анализируются основные квантоворазмерные эффекты в полупроводниковых наногетероструктурах, спектры их усиления и люминесценции. Анализируется частота и порог генерации в лазерах на основе полупроводниковых гетероструктур. Подробно рассматриваются вопросы динамики генерации инжекционных лазеров и динамики излучения одномодовых инжекционных лазеров в режиме свободной генерации. Анализируется режим работы инжекционных лазеров с модуляцией добротности резонатора, многомодовых лазеров и лазеров на асимметричной квантоворазмерной гетероструктуре.
Продолжительность курса 1 семестр

Содержание курса

Раздел 1. Физические основы полупроводниковых лазеров
Раздел 2. Оптика полупроводниковых лазеров
Раздел 3. Полупроводниковые лазерные структуры
Раздел 4. Специальные вопросы полупроводниковых лазеров

Литература
1. А.Е.Жуков, Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур, СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 304 с.
2. А.Е.Жуков, М.В.максимов, Современные инжекционные лазеры, СПб.: Изд-во СПбГПУ, 2009. 276 с.

Подробная программа курса