Закгейм Александр Львович
Кандидат технических наук, родился 02.06.1948 г. в Ленинграде.
1972 — закончил электрофизический факультет (кафедра диэлектриков и полупроводников) Ленинградского электротехнического института им.В.И.Ульянова(Ленина).
1982 — защита кандидатской диссертации в НИИ ГИРИКОНД (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Мощные полупроводниковые светодиоды для систем накачки твердотельных лазеров ".
Учреждение Российской академии наук Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, ученый секретарь, заведующий сектором оптоэлектронных приборов.
Кафедра физики и технологии наноструктур СПбАУ РАН, доцент.
- оптоэлектронные приборы
- светодиоды и источники света на их основе
Основные научные достижения:
в области исследований и разработки светодиодов на основе гетероструктур
Награды:
Медаль к 300-летию основания Санкт_Петербурга
Визиты.
Визит с целью совместных научных исследований в Университет Южной Каролины США, 2000г.
Наиболее значимые публикации:
Автор более 100 публикаций в научных изданиях и материалах конференций и 13 патентов