Опыт работы:
1988 – 1989 Институт аналитического приборостроения РАН (ИАнП РАН), лаборатория масс-спектрометрии, С.-Петербург, Стажер-исследователь
1989 – 1992 ИАнП РАН, лаборатория масс-спектрометрии, Младший научный сотрудник
1992 – 1995 ИАнП РАН, лаборатория приборов и методом эпитаксиальных нанотехнологий, Старший научный сотрудник
1995 – 1998 ИАнП РАН, Ученый секретарь
1998 – 2002 ОАО «Научные приборы», С.-Петербург, Заместитель директора по научной работе
С 2002 ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, лаборатория физики полупроводниковых гетероструктур, С.-Петербург, Ведущий научный сотрудник
с 2006 Санкт-Петербургский академический университет РАН Заместитель директора Центра нанотехнологий Nanotechnology Centre, Заведующий лабораторией физики наноструктур, Заведующий кафедрой теоретической физики (с 2009 г.), профессор кафедры физики и технологии наноструктур
С 2006 Санкт- Петербургский государственный университет, Физический факультет, кафедра физики твердого тела, Профессор
С 2006 Санкт- Петербургский государственный политехнический университет, Физико-технический факультет, кафедра физики и технологии наноструктур, Профессор
С 2010 Международная ассоциированная российско-французская лаборатория “Nanostructures of compound semiconductors, Growth, Properties, Devices”, Российский координатор

Членство в научных советах и комитетах:
Международный симпозиум “Nanostructures: Physics and Technology”, член международного Программного комитета
Международная школа International Nano-Optoelectronic Workshop iNOW, член международного Программного комитета
Санкт-Петербургский академический университет, член Ученого Совета и Президиума Ученого совета
Санкт-Петербургский академический университет, ученый секретарь Специализированного диссертационного совета
Санкт-Петербургский государственный университет, Физический факультет, член Специализированного диссертационного совета

Награды, премии, почетные звания:
111 fellowship (high level long term visiting scientist) at Beijing University of Posts and Telecommunications (China) (2007-2011)
Почетная грамота «За педагогическое мастерство» за победу в номинации «Педагогические новации» Санкт-Петербургский государственный университет, Физический факультет (2009)
Премия за лучшую научную работу Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (2005)

Список публикаций включает:
более 100 статей, входящих в международную систему цитирования ISI Web of Knowledge
более 20 статей в журналах Американского физического и химического обществ и Американского института физики (Nano Letters, Cryst. Growth & Design, Phys. Rev. B, J. Chem. Phys., Phys. Rev. E, J. Appl. Phys)

Монографии и учебные пособия:
В.Г.Дубровский. «Теоретические основы полупроводниковой нанотехнологии». Учебно-методическое пособие. С.-Петербург: Изд. СПбГУ, 2007, 343 с.
В.Г. Дубровский. «Теория формирования эпитаксиальных наноструктур». М.: Физматлит, 2009, 352 с.

Международное научно-педагогическое сотрудничество:
Prof. X. Ren (Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) Prof. F. Glas and Prof. J.C. Harmand (LPN CNRS, Marcoussis, France) Dr. P. Werner (MPI Halle, Germany) Prof. C.Chang-Hasnain (UC Berkeley, USA) Prof. D. Bimberg (Technical University Berlin) Prof. H. Lipsanen (Helsinki University of Technology, Finland) Prof. P. Pareige (University of Rouen, France) Dr. D. Zeze (Department of Fhysics, Durham University, UK) Prof. Xiaomin Ren (BUPT, Beijing, China) Prof. C.Z. Ning (Arizona State University, Tempe, USA) Dr B. Grandidier (Institut d’Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie, Lille, France)

Избранные научные работы:

Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы – рост и физические свойства:
- V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, I.P.Soshnikov, A.A.Tonkikh, N.V.Sibirev, Yu.B.Samsonenko, V.M.Ustinov. «Diffusion induced growth of GaAs nanowhiskers: theory and experiment». Phys. Rev. B, 2005, v.71, issue 20, Art. № 205325.
- V.G.Dubrovskii and N.V.Sibirev. «Growth thermodynamics of nanowires and its application to polytypism of zinc blende III-V nanowires». Phys. Rev. B, 2008, v. 77, Art. № 035414 (8 p.).
- V.G.Dubrovskii, N.V.Sibirev, J.C.Harmand and F.Glas. «Growth kinetics and crystal structure of semiconductor nanowires». Phys. Rev. B, 2008, v.78, Art. № 235301.
- V.G. Dubrovskii1, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, W.H. Chen, R. Larde, E. Cadel, P. Pareige, T. Xu, B. Grandidier , J.-P. Nys, D. Stievenard, M. Moewe, L.C. Chuang, and C. Chang-Hasnain. “Gibbs-Thomson and diffusion-induced contributions to the growth rate of Si, InP and GaAs nanowires”. Phys. Rev. B, 2009, v.79, Art. № 205316.
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.C. Harmand and V.M. Ustinov. «Shape modification of III-V nanowires: the role of nucleation on sidewalls». Phys. Rev. E, 2008, v. 77, Art. № 031606.
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A. D. Bouravleuv, Yu.B. Samsonenko, D.L. Dheeraj, H.L. Zhou, C. Sartel, J.C. Harmand, G. Patriarche, and F. Glas. “Role of non-linear effects in nanowire growth and crystal phase”. Phys. Rev. B, 2009, v. 80, Art. № 066940.
- Michael Moewe, Linus C. Chuang, Vladimir G. Dubrovskii, and Connie Chang-Hasnain. «Growth mechanisms and crystallographic structure of InP nanowires on lattice-mismatched substrates». J. Appl. Phys., 2008, v. 104, Art. № 044313.
- M. Tchernycheva, L. Travers, G. Patriarche, J.C. Harmand, G.E. Cirlin and V.G. Dubrovskii. «Au-assisted molecular beam epitaxy of InAs nanowires : growth and theoretical analysis». J. Appl. Phys., 2007, v. 102, Art. № 094313.
- V.G.Dubrovskii1, N.V.Sibirev, G.E.Cirlin, J.C.Harmand, and V.M.Ustinov. “Theoretical analysis of the vapor-liquid-solid mechanism of nanowire growth during MBE”. Phys. Rev. E, 2006, v.73, Art. № 021603.
- G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, Budhikar Mendes, L. Bowen, M. A. Kaliteevski, R.A. Abram, and Dagou Zeze. “Self-catalyzed, pure zincblende GaAs nanowires grown on Si(111) by molecular beam epitaxy”. Phys. Rev. B, 2010, v. 82, Art. № 035302.

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур:
-V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin and V.M.Ustinov. «Kinetics of the initial stage of coherent island formation in heteroepitaxial systems». Phys. Rev. B, 2003, v.68, Art. № 075409.
-V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, Yu.G.Musikhin, Yu.B.Samsonenko, A.A.Tonkikh, N.K.Polyakov, V.A.Egorov, A.F.Tsatsul’nikov, N.A.Krizhanovskaya, V.M.Ustinov and P. Werner. «The effect of growth kinetics on the structural and optical properties of quantum dot ensembles». J. Cryst. Growth, 2004, v. 267, №1-2, p. 47-59.
-V.G.Dubrovskii. «Kinetically controlled engineering of quantum dot arrays». Phys. Stat. Sol (b), 2003, v. 238, № 2, p.R1.
-V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin and V.M.Ustinov. «The effective thickness, temperature and growth rate behavior of quantum dot ensembles». Phys. Stat. Sol.(b), 2004, v.241, №10, p.R42-R45.
-V.G.Dubrovskii, D.A.Bauman, V.V.Kozachek, V.V.Mareev, G.E.Cirlin. “Kinetic models of self-organization effects in lattice systems”. Physica A, 1998, v.260, №3-4, p.349
-V.G.Dubrovskii. “Diffusion-induced islanding in heteroepitaxial systems”. Physica A, 2002, v.307, №1-4, p.228-245.

Технологии МПЭ и свойства полупроводниковых наноструктур:
-G.E.Cirlin, V.N.Petrov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipissev, V.G.Dubrovskii, G.M.Guryanov, N.N.Ledentsov, D.Bimberg. “Effect of growth kinetics influence on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces”. Surf.Sci., 1997, v.377-379, p.895.
-G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, N.P.Korneeva, V.N.Demidov, A.O.Golubok, S.A.Masalov, D.V.Kurochkin, O.M.Gorbenko, N.I.Komyak, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, A.F.Tsatusul'nikov, B.V.Volovik, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, N.N.Ledentsov, M.Grundmann, D.Bimberg. "Formation of InAs quantum dots on a silicon (100) surface", Semicond.Sci.Technol., v.13, 1998, p.1262.
- M.H. Sun, E.S.P. Leong, A.H. Chin, C.Z. Ning, G.E. Cirlin, Yu.B. Samsonenko, V.G. Dubrovskii, L. Chuang, and C. Chang-Hasnain. “Photoluminescence properties of InAs nanowires grown on GaAs and Si substrates”. Nanotechnology, 2010, v. 21, Art. № 335705 (9 p.).
- G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, Yu.B. Samsonenko, V.G. Dubrovskii, E.M. Arakcheeva, E.M. Tanklevskaya, and P. Werner. “Photovoltaic properties of p-doped GaAs nanowire arrays grown on n-type GaAs(111)B substrate”. Nanoscale Res. Lett., 2010, v. 5, p. 360–363.

Кинетика фазовых переходов первого рода, теория нуклеации:
- V.G. Dubrovskii. “Fluctuation-induced spreading of size distribution in condensation kinetics”. J. Chem. Phys., 2009, v. 131, Art. № 164514.
- V.G. Dubrovskii and M.V. Nazarenko. “Nucleation theory beyond the deterministic limit. I. The nucleation stage”. J. Chem. Phys., 2010, v. 132, Art. # 114507.
- V.G. Dubrovskii and M.V. Nazarenko. “Nucleation theory beyond the deterministic limit. II. The growth stage”. J. Chem. Phys., 2010, v. 132, Art. # 114508.
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R. A. Suris. “Stress-driven nucleation of three-dimensional crystal islands: from quantum dots to nanoneedles”. Cryst. Growth & Design, 2010, v. 10, p. 3949-3955.