Курс посвещен изучению молекулярно-пучковой эпитаксии - базовой технологии создани элементов полупроводниковой электроники. Особое место в крсе занимает изучение: многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов А3B5 и А2В6, гетерогенных равновесий, критических явлений и неустойчивостей в твердых растворах.

1. Введение.
2. Полупроводниковые соединения в микро- и оптоэлектронике.
3. Квазибинарные твердые растворы изовалентного замещения.
4. Многокомпонентные твердые растворы.
5. Гетерогенные равновесия в технологии гетероструктур.
6. Критические явления и термодинамическая неустойчивость в твердых растворах.
7. Получение гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

Литература
1. Ж.И. Алферов. История и будущее п.п. гетероструктур - ФТП, 32, 3(1998).
2. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах - М., Мир, 1981. (2 тома).
3. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы. /Под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова, М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006
4. В.С. Сорокин, Б.Л. Антипов, Н.П. Лазарева, Материалы и элементы электронной техники. В 2-х т. Т. 1. Проводники, полупроводники, диэлектрики. М.: Академия, 2006. 440 с.
5. Л. Ченг, К. Плуг. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.- Пер. с англ., под ред. Ж.И. Алферова, Ю.В. Шмарцева- М.: Мир, 1989.
6. М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. - М.: Мир 1989.
7. Нанотехнологии в электронике. /Под ред. Ю.А. Чаплыгина, М.: Техносфера, 2005
8. А.И. Лебедев, Физика полупроводниковых приборов./ М.:ФИЗМАТЛИТ, 2008
9. K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu, Wide Bandgap Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2007.