Иванов Сергей Викторович
Доктор физ.-мат. наук, родился 24.02.1960 г. в Ленинграде.
1983 — закончил с отличием факультет электронной техники (кафедра оптоэлектроники) Ленинградского электротехнического института им. В.И. Ульянова (Ленина).
1989 — защита кандидатской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Исследование процессов роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии эпитаксиальных слоев (Al,Ga)As и гетероструктур низкопороговых инжекционных лазеров".
2000 — защита докторской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений А2В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)".
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, главный научный сотрудник Центра физики наногетеротруктур, руководитель группы молекулярно-пучковой эпитаксии. http://www.ioffe.ru/qslab/beam/
Кафедры физики и технологии наноструктур” СПбАУ РАН, профессор
Кафедры “Микроэлектроника” факультета электроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», профессор
Молекулярно-пучковая эпитаксия и исследование фундаментальных физических свойств низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур (квантовых ям, серхрешеток, квантовых точек) на основе:
- узкозонных соединений А3В5 - (Al,Ga,In)/(As,Sb) - для оптоэлектроники среднего ИК диапазона и сверхвысокочастотных транзисторов с двумерным электронным каналом;
- широкозонных полупроводниковых соединений А2В6 - (Zn,Cd,Mg)/(Se,S,Te), а также ZnO - для оптоэлектроники видимого (сине-зеленого) и УФ спектральных диапазонов, включая лазеры с электронно-лучевой и оптической накачкой, и фундаментальных исследований в области спин-электроники с использованием разбавленных магнитных полупроводников;
- гибридных А3В5/А2В6 структур с гетеровалентным интерфейсом для лазеров и светодиодов среднего ИК диапазона, а также спинтронных применений;
- А3 -нитридов - (Ga,In,Al)/(N) - для оптоэлектронных применений в видимой и УФ области спектра, а также изучения фундаментальных физических свойств In-обогащенных соединений и композитных структур металл-полупроводник.
Основные научные достижения:
в области разработки технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и физики полупроводниковых наногетероструктур для оптоэлектронных применений и микроэлектроники.
Награды:
- лауреат премии Ученого Совета ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН (1988)
- лауреат премии им. А.Ф. Иоффе (1999),
- лауреат премии ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН за лучшую работу (1998; дважды в 2000, 2003, 2004, 2005, 2009),
- обладатель гранта молодых докторов наук «Фонда содействия отечественной науке» (2004/2005),
- благодарность Президента РАН в связи с 275-летием Российской Академии наук,
- медаль «В память 300-летия Санкт-Петербурга».
Визиты.
- 1994 – 1996 Visiting scientist в Samsung Advanced Institute of Technology, Корея (4 месяца)
- 1998-2009 Visiting scientist и visiting professor в университетах Германии (Wuerzburg University, Ulm University, Braunschweig Technical University, Regensburg University), 9 визитов общей продолжительностью 1 год. 1999-2009 Visiting professor в университетах Японии (Nagoya University, Ritsumeikan University, Hokkaido University, Chiba University), 7 визитов общей продолжительностью 2 мес.
Научно-организационная деятельность
Член Экспертного Совета РФФИ в секции физики конденсированных сред (c 2005г.) Организатор и со-председатель международных конференций и семинаров:
- 4th Int. Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (2004)
- 3rd Russian-French Workshop on Nanosciences and Nanotechnologies (2006)
- 4rd Russian-French Workshop on Nanosciences and Nanotechnologies (2007)
- 14th Int. Conference on II-VI Compounds (2009) Член координационных комитетов международных конференций и симпозиумов:
- Int. Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE, c 2004)
- Int Workshop on Nitride Semiconductors (IWN, c 2005)
- Int. Conference on II-VI Compounds (II-VI, c 2007)
- Int. Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN, c 2009) Член программных комитетов международных конференций и симпозиумов:
- Int. Conference Nanostructures: Physics and Technology (c 2003)
- Int. Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN, c 2004)
- Eur. Conference on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE, c 2006)
- Int. Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (HMFSP, c 2010)
- Int. Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS, c 2010)
Наиболее значимые публикации:
Автор более 350 публикаций в рецензируемых журналах и более 400 в материалах конференции, в том числе: главы в сборниках
- S. Ivanov, P. Kop’ev, «Type-II (AlGa)Sb/InAs Quantum well structures and superlattices for opto- and microelectronics grown by molecular beam epitaxy», Chapter, in “Antimonide-related strained-layer heterostructures”, ed. by M.O.Manasreh, in Ser. "Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices", vol. 3, (Gordon & Breach Science Publishers, 1997), pp. 95-170
- S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, «InN growth by plasma assisted molecular beam epitaxy», Chapter, Vac. Sci. &Techn., in: “Nitrides as seen by the technology”, ed. By T. Paskova and B. Monemar, Research Signpost (Keraia, 2002), pp. 369-400
- С.В. Иванов, А.Н. Семенов, В.С. Сорокин, «Молекулярно-пучковая эпитаксия, как базовая технология создания полупроводниковых наноструктур A3B5 и A2B6», С.135-165;,
- С.В. Иванов, В.А. Соловьев, С.В. Сорокин, «Полупроводниковые лазеры видимого и среднего ИК диапазона на основе наноструктур с квантовыми точками», С.433-470, в сборнике «Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы» /Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006,
- около 20 приглашенных докладов на международных конференциях и симпозиумах;
- 2 патента РФ.